最新日韩精品第1页视频,青青青青青青在线精品视频,向日葵官网视频在线观看下载,首页日韩中文字幕视频

深圳市華科智源科技有限公司

當(dāng)前位置:深圳市華科智源科技有限公司>>靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀>> HUSTEC-1600A-MTIGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)HUSTEC-1600A-MT

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地深圳市

聯(lián)系方式:陳經(jīng)理查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間:2024-11-25 16:57:37瀏覽次數(shù):90次

聯(lián)系我時(shí)贴谎,請(qǐng)告知來自 食品機(jī)械設(shè)備網(wǎng)
同類優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品更多>
設(shè)備尺寸 500(寬)x?450(深)x?250(高)mm 質(zhì)量 30kg
海拔高度 海拔不超過?1000m 儲(chǔ)存環(huán)境 -20℃~50℃
工作環(huán)境 15℃~40℃ 相對(duì)濕度 20%RH?~?85%RH
大氣壓力 86Kpa~?106Kpa 防護(hù) 無較大灰塵汞扎,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害
用電要求 AC220V擅这,±10% 電網(wǎng)頻率 50Hz±1Hz
IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)澈魄,測(cè)試二極管 、IGBT蕾哟,MOS管一忱,SIC器件靜態(tài)參數(shù)莲蜘,并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線谭确,測(cè)試1600A,5000V以下的各種功率器件票渠,廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)逐哈,封裝測(cè)試,軌道交通裙闪,電動(dòng)汽車 蒙玩,風(fēng)力發(fā)電,變頻器俯够,焊機(jī)等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析绅刨。

HUSTEC華科智源

HUSTEC-1600A-MT

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)



一:IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)主要特點(diǎn)

華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試,還可以測(cè)量大功率二極管 峰适、IGBT模塊抗钻,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試靶姻,測(cè)試600A(可擴(kuò)展至2000A)褒述,5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通怀拨,電動(dòng)汽車 逃窜,風(fēng)力發(fā)電郊舅,變頻器,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析止骨,設(shè)備還可以用于變頻器席赂,風(fēng)電,軌道交通时迫,電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修氧枣,無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試,可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè)别垮,測(cè)試方便便监,測(cè)試過程簡(jiǎn)單,既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試碳想,又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試烧董,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試;


測(cè)試參數(shù):

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

整個(gè)測(cè)試過程自動(dòng)完成胧奔,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能逊移,可生成測(cè)試曲線,方便操作使用龙填。


二:應(yīng)用范圍

A:IGBT單管及模塊胳泉,

B:大功率場(chǎng)效應(yīng)管(Mosfet)

C:大功率二極管

D:標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻

E:軌道交通,風(fēng)力發(fā)電岩遗,新能源汽車扇商,變頻器,焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測(cè)


三棠吨、測(cè)試特征:

A:測(cè)量多種IGBT桑趴、MOS管

B:脈沖電流1200A,電壓5KV逻盅,測(cè)試范圍廣盔连;

C:脈沖寬度 50uS~300uS

D:Vce測(cè)量精度2mV

E:Vce測(cè)量范圍>10V

F:電腦圖形顯示界面

G:智能保護(hù)被測(cè)量器件

H:上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)功能

I:MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

K: 生成測(cè)試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)

L:可以進(jìn)行不同曲線的對(duì)比阻羞,觀測(cè)同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)凰染,或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對(duì)比;



序號(hào)

測(cè)試項(xiàng)目

描述

測(cè)量范圍

分辨率

精度

1

VF

二極管正向?qū)▔航?/p>

0~20V

1mV

±1%,±1mV

2

IF

二極管正向?qū)娏?/p>

0~1200A

≤200A時(shí),0.1A

≤200A時(shí),±1%±0.1A

3

>200A時(shí),1A

>200A時(shí),±1%

4

Vces

集電極-發(fā)射極電壓

0~5000V

1V

±1%,±1V

5

Ic

通態(tài)集電極電流

0~1200A

≤200A時(shí),0.1A

≤200A時(shí),±1%±0.1A

6

>200A時(shí),1A

>200A時(shí),±1%

7

Ices

集電極-發(fā)射極漏電流

0~50mA

1nA

±1%,±10μA

8

Vgeth

柵極-發(fā)射極閾值電壓

0~20V

1mV

±1%,±1mV

9

Vcesat

集電極-發(fā)射極飽和電壓

0~20V

1mV

±1%,±1mV

10

Igesf

正向柵極漏電流

0~10uA

1nA

±2%,±1nA

11

Igesr

反向柵極漏電流

12

Vges

柵極發(fā)射極電壓

0~40V

1mV

±1%,±1mV



































測(cè)試參數(shù):

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀整個(gè)測(cè)試過程自動(dòng)完成忘拧,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能捏诫,可生成測(cè)試曲線,方便操作使用


1) 物理規(guī)格

設(shè)備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm湿儡;

質(zhì)量:30kg

2) 環(huán)境要求

海拔高度:海拔不超過 1000m触茎;

儲(chǔ)存環(huán)境:-20℃~50℃;

工作環(huán)境:15℃~40℃。

相對(duì)濕度:20%RH ~ 85%RH 希俩;

大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa吊宋。

防護(hù):無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體颜武,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害璃搜;

3) 水電氣 用電要求:AC220V,±10%鳞上;

電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz

會(huì)員登錄

×

請(qǐng)輸入賬號(hào)

請(qǐng)輸入密碼

=

請(qǐng)輸驗(yàn)證碼

收藏該商鋪

X
該信息已收藏躲窜!
標(biāo)簽:
保存成功

(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)

常用:

提示

X
您的留言已提交成功沃羽!我們將在第一時(shí)間回復(fù)您~
在線留言