設(shè)備簡介：
該設(shè)備主要用于礦物石墨的膨化熬席。
設(shè)備特點：
1标狼、快速膨化搭诬，石墨在幾秒鐘之內(nèi)完成膨化過程蘸橡；
2、低溫膨化撰征，膨化溫度僅需300~500℃哲琼；
3、特殊布料設(shè)計仔蟀，讓膨化率更高；
4闺焦、內(nèi)壁鐵氟龍噴涂設(shè)計防止金屬污染叼河；
5、高能保溫設(shè)計济七，保護磁控管延長設(shè)備壽命川愤。
設(shè)備參數(shù):
1. 電源輸入： 三相380V±10%，50Hz
2. 總輸入視在功率： ≤120kVA
3. 微波輸出功率： ≤80kW功率可調(diào)（隧道式）
4. 微波頻率： 2450MHz±50MHz
5. 外型尺寸： （約）14000mm*1200mm*1800㎜（長*寬*高）
6. 微波作用區(qū)域： 9500mm*1010mm*665㎜
7. 進(jìn)出料口： 50mm/150mm
8. 傳動速度： 變頻調(diào)速 0-10m/min
9. 傳送帶距地面高度： 800mm（±15㎜）
10. 工作溫度： -5～35℃
11.工作環(huán)境： 相對濕度≤80%
12. 周圍環(huán)境： 周圍無腐蝕性氣體碍讯、導(dǎo)電粉塵及爆炸氣體
13. 微波漏能： 符合國家GB10436-89 微波輻射安全標(biāo)準(zhǔn)
14. 設(shè)備安全： 符合GB5226電器安全標(biāo)準(zhǔn)
設(shè)備采用整體保溫措施悬蔽，連續(xù)進(jìn)出料，采用耐溫超500度輸送帶捉兴，波導(dǎo)口云母片密封蝎困，觀察們均采用石英玻璃覆蓋，采用振動導(dǎo)槽分列布料倍啥，膨化效果好禾乘，體積瞬間膨大500倍，是制備石墨烯的良好材料虽缕。設(shè)備電氣*密封始藕，散熱氣流室外循環(huán)，有效防止電氣粉塵損害氮趋。
延伸閱讀：石墨烯的四種制備方法
原文鏈接：https://wenku..com/view/fa3efb88c8d376eeaeaa3185.html 石墨烯制備技術(shù)發(fā)展迅速伍派。石墨烯優(yōu)良的性能和廣泛的應(yīng)用前景，極大的促進(jìn)了石墨烯制備技術(shù)的快速發(fā)展。自2004年Geim等用微機械剝離法制備出石墨烯以來诉植，科研人員又開發(fā)出眾多制備石墨烯的方法祥国。其中比較主流的方法有外延生長法、化學(xué)氣相沉淀CVD法和氧化石墨還原法等枯誓。 現(xiàn)有制法還不能滿足石墨烯產(chǎn)業(yè)化的要求谆胰。包括微機械剝離法、外延生長法五浊、化學(xué)氣相沉淀CVD法和氧化石墨還原法在內(nèi)的眾多制備方法目前仍不能滿足產(chǎn)業(yè)化的要求萄瞻。特別是產(chǎn)業(yè)化要求石墨烯制備技術(shù)能穩(wěn)定、低成本地生產(chǎn)大面積菲缕、純度高的石墨烯趁室，這一制備技術(shù)上的問題至今尚未解決。 微機械剝離法 石墨烯首先由微機械剝離法制得聂幅。微機械剝離法即是用透明膠帶將高定向熱解石墨片按壓到其他表面上進(jìn)行多次剝離吓蝌，最終得到單層或數(shù)層的石墨烯。2004年活乘，Geim授工，Novoselov等就是通過此方法在世界上得到了單層石墨烯，證明了二維晶體結(jié)構(gòu)在常溫下是可以存在的价恨。 微機械剝離方法操作簡單细层、制作樣本質(zhì)量高，是當(dāng)前制取單層高品質(zhì)石墨烯的主要方法唬涧。但其可控性較差疫赎，制得的石墨烯尺寸較小且存在很大的不確定性，同時效率低碎节，成本高捧搞，不適合大規(guī)模生產(chǎn)。 外延生長法 外延生長方法包括碳化硅外延生長法和金屬催化外延生長法狮荔。碳化硅外延生長法是指在高溫下加熱SiC單晶體胎撇，使得SiC表面的Si原子被蒸發(fā)而脫離表面，剩下的C原子通過自組形式重構(gòu)轴合，從而得到基于SiC襯底的石墨烯创坞。 金屬催化外延生長法是在超高真空條件下將碳?xì)浠衔锿ㄈ氲骄哂写呋钚缘倪^渡金屬基底如Pt、Ir受葛、Ru题涨、Cu等表面，通過加熱使吸附氣體催化脫氫從而制得石墨烯总滩。氣體在吸附過程中可以長滿整個金屬基底纲堵，并且其生長過程為一個自限過程，即基底吸附氣體后不會重復(fù)吸收，因此灌蛙，所制備出的石墨烯多為單層残膜，且可以大面積地制備出均勻的石墨烯。 化學(xué)氣相沉淀CVD法 潛力的大規(guī)模生產(chǎn)方法 CVD法被認(rèn)為希望制備出高質(zhì)量又诡、大面積的石墨烯商爆，是產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)石墨烯薄膜潛力的方法∨持睿化學(xué)氣相沉淀CVD法具體過程是：將碳?xì)浠衔锛淄榕佬铡⒁掖嫉韧ㄈ氲礁邷丶訜岬慕饘倩證u、Ni表面赖谷，反應(yīng)持續(xù)一定時間后進(jìn)行冷卻慢沉，冷卻過程中在基底表面便會形成數(shù)層或單層石墨烯，此過程中包含碳原子在基底上溶解及擴散生長兩部分滥氏。該方法與金屬催化外延生長法類似备洽，其優(yōu)點是可以在更低的溫度下進(jìn)行，從而可以降低制備過程中能量的消耗量妈踊，并續(xù)對石墨烯進(jìn)行加工處理了嚎。 三星用這種方法獲得了對角長度為30英寸的單層石墨烯，顯示出這種方法作為產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)方法的巨大潛力廊营。但該過程所制備出的石墨烯的厚度難以控制新思，在沉淀過程中只有小部分可用的碳轉(zhuǎn)變成石墨烯，且石墨烯的轉(zhuǎn)移過程復(fù)雜赘风。 氧化石墨還原法 氧化石墨還原法也被認(rèn)為是目前制備石墨烯的方法之一。該方法操作簡單纵刘、制備成本低邀窃，可以大規(guī)模地制備出石墨烯，已成為石墨烯制備的有效途徑假哎。另外該方法還有一個優(yōu)點瞬捕，就是可以先生產(chǎn)出同樣具有廣泛應(yīng)用前景的功能化石墨烯--氧化石墨烯。 其具體操作過程是先用強氧化劑濃硫酸舵抹、濃硝酸肪虎、等將石墨氧化成氧化石墨，氧化過程即在石墨層間穿插一些含氧官能團惧蛹，從而加大了石墨層間距蚣狠，然后經(jīng)超聲處理一段時間之后，就可形成單層或數(shù)層氧化石墨烯弥败，再用強還原劑水合肼号蒙、等將氧化石墨烯還原成石墨烯。 其他制備石墨烯的方法還有碳納米管切割法、石墨插層法物坝、離子注入法未奋、高溫高壓HPHT生長法、爆炸法以及有機合成法等妖职。 制備大面積冻绊、高質(zhì)量的石墨烯仍然是一個較大的挑戰(zhàn)。雖然化學(xué)氣相沉淀法和氧化還原法可以大量的制備出石墨烯歇懂，但是化學(xué)氣相沉淀法在制備后期瓷忙，對于石墨烯的轉(zhuǎn)移過程比較復(fù)雜，而且制備成本較高灭大，另外基底內(nèi)部C生長與連接往往存在缺陷订咆。利用氧化還原法在制備時，由于單層石墨烯非常薄柬泽，容易團聚慎菲，導(dǎo)致降低石墨烯的導(dǎo)電性能及比表面積，進(jìn)一步影響其在光電設(shè)備中的應(yīng)用锨并，另外露该，氧化還原過程中容易引起石墨烯的晶體結(jié)構(gòu)缺陷，如碳環(huán)上碳原子的丟失等第煮。 制法制約石墨烯產(chǎn)業(yè)化解幼。石墨烯的各種性能只有在石墨烯質(zhì)量很高時才能體現(xiàn)，隨著層數(shù)的增加和內(nèi)部缺陷的累積包警，石墨烯諸多*性能都將降低撵摆。要真正的實現(xiàn)石墨烯應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)化，體現(xiàn)出石墨烯替代其他材料的*品質(zhì)害晦，必須在制備方法上尋求突破特铝。只有適合工業(yè)化的石墨烯制法出現(xiàn)了，石墨烯產(chǎn)業(yè)化才能真正到來壹瘟。 |
