產(chǎn)品簡(jiǎn)介
半導(dǎo)體微電子芯片在制造過(guò)程中,需通過(guò)一系列的光刻呛产、刻蝕距搂、沉積、離子注入治勒、研磨恰磷、清洗等工藝形成具有各種功能的半導(dǎo)體芯片,在形成終端產(chǎn)品前還需進(jìn)行封裝和電性測(cè)試和蛀,在整個(gè)過(guò)程中將會(huì)產(chǎn)生大量的工業(yè)廢水失跷,下面了解一下關(guān)于:微電子芯片工業(yè)的廢水的處理方法。
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更新時(shí)間:2023-03-02 15:15:53瀏覽次數(shù):601
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微電子芯片是一種將某個(gè)子系統(tǒng)或電子功能部件集成于芯片中搂棱,從本質(zhì)上來(lái)看微電子芯片的核心在于集成電路叔梆,它是在各類(lèi)半導(dǎo)體器件不斷發(fā)展過(guò)程中所形成。
半導(dǎo)體微電子芯片在制造過(guò)程中偏控,需通過(guò)一系列的光刻筑凫、刻蝕、沉積并村、離子注入巍实、研磨、清洗等工藝形成具有各種功能的半導(dǎo)體芯片哩牍,在形成終端產(chǎn)品前還需進(jìn)行封裝和電性測(cè)試棚潦,在整個(gè)過(guò)程中將會(huì)產(chǎn)生大量的工業(yè)廢水,下面了解一下關(guān)于:微電子芯片工業(yè)的廢水的處理方法膝昆。
宏森環(huán)保處理微電子芯片工業(yè)廢水采用間歇式活性污泥法丸边、曝氣生物濾池或者是生物接觸氧化法,微電子芯片工業(yè)廢水水處理工藝流程:
1荚孵、廢水的數(shù)值PH值為4~6狀態(tài)下妹窖,使用片狀石灰鈣固定塊,孔徑為0.3-0.5收叶,作為吸附物的載體骄呼,并在上述片狀石灰鈣固定塊覆蓋固定網(wǎng);
2、在池內(nèi)加入中和劑和混凝劑判没,再次測(cè)試PH值如果為達(dá)到4蜓萄,將輔助混凝劑導(dǎo)入池內(nèi),再導(dǎo)入冷凝效應(yīng)器中钳生,完成混凝后以厭氧狀態(tài)將其導(dǎo)出;
3援愁、進(jìn)行快速凝聚反應(yīng)贫拭,其中輔凝劑加入后靜置2小時(shí);
4、將廢水噴射到蒸發(fā)器的中進(jìn)行蒸發(fā)處理径揭,廢水全部脫水為氣態(tài),蒸發(fā)時(shí)間為12~16h森肉,蒸發(fā)溫度為180~220℃;
5雌夕、導(dǎo)入蒸發(fā)器中得廢水濃度為允許上限PH在4,一旦達(dá)到停止繼續(xù)放入廢水;
6朵泌、廢氣導(dǎo)入冷凝塔派憨,噴淋霧狀中和劑,中和劑溫度在10℃~12℃;
7岳舔、完成冷凝笔碌,剩余的廢氣進(jìn)入等離子反應(yīng)器中進(jìn)行電離處理;
8、冷凝塔抽取的反應(yīng)水躲扣,導(dǎo)入最終反應(yīng)池中甚脉,導(dǎo)入廢水處理劑,該廢水處理劑包括凈水劑聚合氯化鋁共聚物和芬頓試劑;以廢水處理劑的總重量為基準(zhǔn)铆农,所述聚合氯化鋁共聚物共聚物的含量為50-70wt%;
目前市場(chǎng)上有很多的水處理工藝是屬于單一處理的牺氨,單一處理常常導(dǎo)致過(guò)濾物質(zhì)很快堵塞的問(wèn)題,采用以上的水處理工藝可減少該問(wèn)題的出現(xiàn)墩剖。