四探針電阻率測(cè)試儀的主要技術(shù)指標(biāo)：

1. 四探針電阻率測(cè)試儀

四探針?lè)?/span>—本方法快速且不需要樣品有規(guī)則的橫截面棺距。本測(cè)試方法可用于不規(guī)則形狀的樣品匙典，只要它有適于探針接觸的平面區(qū)域即可洼眶。如本標(biāo)準(zhǔn)所述茴典，本測(cè)試方法只適用于厚度和任一探針尖到zui近邊緣的距離都至少為探針間距的四倍的樣品。對(duì)于厚度大于探針間距一倍而小于四倍的圓形橫截面樣品這樣特定的場(chǎng)合赴辨，用本方法進(jìn)行測(cè)量是可行的眯找，測(cè)量中要求使用的近似幾何修正可使測(cè)量精度提高。

四探針電阻率/方阻測(cè)試儀（以下簡(jiǎn)稱電阻率測(cè)試儀）是參考按照硅片電阻率測(cè)量的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制造捣域，用來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料（主要是硅單晶啼染、鍺單晶、硅片）電阻率焕梅，以及擴(kuò)散層迹鹅、外延層、ITO導(dǎo)電薄膜贞言、導(dǎo)電橡膠方塊電阻的測(cè)量?jī)x器斜棚。它主要由電氣測(cè)量部份（簡(jiǎn)稱：主機(jī)）、測(cè)試架及四探針頭組成该窗。主機(jī)提供精度為0.1%的恒流源弟蚀，使測(cè)量電流高度穩(wěn)定。酗失，儀器配置了本公司的產(chǎn)品：“小游移四探針頭”义钉，探針游移率在0.1～0.2%昧绣。保證了儀器測(cè)量電阻率的重復(fù)性和準(zhǔn)確度。

2. 四探針電阻率/方阻測(cè)試儀設(shè)備技術(shù)要求及性能指標(biāo)：

3. 四探針電阻率測(cè)試儀測(cè)量范圍：電阻率0.01～199.9歐姆·厘米捶闸，zui小分辨率為0.01歐姆·厘米

方塊電阻0.1～1999歐姆/□夜畴，zui小分辨率為0.1歐姆/□

2.1 可測(cè)量材料：半導(dǎo)體材料硅鍺棒、塊蚌长、片的惕、導(dǎo)電薄膜等

2.2 可準(zhǔn)確測(cè)量的半導(dǎo)體尺寸：直徑≥20㎜

2.3 可測(cè)量的半導(dǎo)體尺寸：直徑≥8㎜

2.4 測(cè)量方式：平面測(cè)量。

2.5 電壓表：

A.量程0~199.9 mV

B. 靈敏度：100μv

C.基本誤差0.2%（±2個(gè)字）

D.輸入阻抗﹥1000MΩ

E. 3 1/2位數(shù)字顯示绵顷，0～1999

2.6 恒流源：

A.電流輸出：直流電流0.1～10 mA連續(xù)可調(diào)补屎，由交流電源供給

B.量程： 1 mA，10 mA兩檔

C.恒流源精度：各檔均≤±0.1%

2.7 四探針測(cè)試探頭B級(jí)

A.探頭間距1.59㎜

B.探針機(jī)械游率：±0.5%

C.探針直徑0.8㎜饲丢，探針針尖壓痕直徑30-50μm付厦，探針合力8±1N

D.探針材料：碳化鎢，探針間及探針與其他部分之間的絕緣電阻大于10⁹歐姆蜻弧。

2.8 四探針電阻率測(cè)試儀

2.9 測(cè)試架

JCKDJ-1A 型手動(dòng)測(cè)試架探頭上下由手動(dòng)操作超默，可以用作斷面單晶棒和硅片測(cè)試，探針頭可上下移動(dòng)距離：120mm吓挣，測(cè)試臺(tái)面200x200（mm）园环。

2.10 精度

電器精度：1-100歐姆≤0.4 %

整機(jī)測(cè)量精度：1-100歐姆·厘米≤5%

固定點(diǎn)測(cè)量重復(fù)性：1-10歐姆·厘米≤3%

電流：220V±10%，50HZ奄础，功率消耗﹤25