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可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備托逝，如果超過(guò)此功率，因元件開(kāi)關(guān)損耗顯著增加桥膝，允許通過(guò)的平均電流相降低萤皂，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用匣椰。

可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多裆熙，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍窝爪；反應(yīng)極快弛车，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷蒲每；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行纷跛，無(wú)火花、無(wú)噪音邀杏；效率高贫奠，成本低等等。

可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差望蜡；容易受干擾而誤導(dǎo)通唤崭。

可控硅從外形上分類(lèi)主要有：螺栓形、平板形和平底形脖律。

可控硅元件的結(jié)構(gòu)

不管可控硅的外形如何谢肾，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見(jiàn)圖1苹衰。它有三個(gè)PN結(jié)（J1芬赢、J2、J3）棘爱，從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽(yáng)極A眷幢，從N2層引出陰級(jí)K，從P2層引出控制極G柜棠，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件酒舶。

大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說(shuō)的普通晶閘

管歇决，它是由四層半導(dǎo)體材料組成的宇赁，有三個(gè)PN結(jié)，對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2(a）〕：*層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A芹蟹，第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G凳嘁，第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(b）〕可以看到俘戈，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G少欺，這就使它具有與二極管*不同的工作特性喳瓣。

以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,起始于1957年，因?yàn)樗奶匦灶?lèi)似于真空閘流管赞别，所以上通稱為硅晶體閘流管畏陕，簡(jiǎn)稱晶閘管T，又因?yàn)榫чl管初的在靜止整流方面仿滔，所以又被稱之為硅可控整流元件惠毁，簡(jiǎn)稱為可控硅SCR篙梢。

在性能上恼稠，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦远士妫疫€具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性祠挫。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。

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