無損檢測就是在不損傷和不破壞材料、制品或構(gòu)件的情況下唐故，就能檢測出它們內(nèi)部的情況鉴吞，判別內(nèi)部有無缺陷。現(xiàn)代無損檢測的方法很多父系，例如：超聲波探傷法摹椅、渦流探傷法、熒光探傷法及射線檢測法等椒蜜。射線檢測法即可檢查工件表面又可檢查工件內(nèi)部的缺陷梦啊。設(shè)備可以采用放射性同位素Co60產(chǎn)生的γ射線、X光機(jī)產(chǎn)生的低能X射線和電子加速器產(chǎn)生的高能X射線厌留。A06B-1424-B123供應(yīng)FANUC尤其是探傷加速器的穿透本領(lǐng)和靈敏度高炼岖，作為一種zui終檢查手段或其它探傷方法的驗(yàn)證手段及在質(zhì)量控制中，在大型鑄鍛焊件囊像、大型壓力容器楔侣、反應(yīng)堆壓力殼、火箭的固體燃料等工件的缺陷檢驗(yàn)中得到廣泛的應(yīng)用禾门。這種探傷加速器以電子直線加速器為主要機(jī)型株惶。

超大規(guī)模集成電路是指集成度（每塊芯片所包含的元器件數(shù)）大于10的集成電路。集成電路一般是在一塊厚0.2～0.5mm帘撰、面積約為0.5mm的P型硅片上通過平面工藝制做成的跑慕。這種硅片（稱為集成電路的基片）上可以做出包含為十個（或更多）二極管、電阻摧找、電容和連接導(dǎo)線的電路

與分立元器件相比核行，集成電路元器件有以下特點(diǎn)：

1. 單個元器件的精度不高，受溫度影響也較大蹬耘，但在同一硅片上用相同工藝制造出來的元器件性能比較*芝雪，對稱性好减余，相鄰元器件的溫度差別小，因而同一類元器件溫度特性也基本*惩系；

2. 集成電阻及電容的數(shù)值范圍窄位岔，數(shù)值較大的電阻、電容占用硅片面積大堡牡。集成電阻一般在幾十Ω～幾十 kΩ范圍內(nèi)抒抬，電容一般為幾十pF。電感目前不能集成晤柄；

3. 元器件性能參數(shù)的誤差比較大擦剑，而同類元器件性能參數(shù)之比值比較精確；

4. 縱向NPN管β值較大擒摸，占用硅片面積小婉涌，容易制造。A06B-1424-B123供應(yīng)FANUC而橫向PNP管的β值很小兴氧，但其PN結(jié)的耐壓高夏坝。

它的設(shè)計(jì)特點(diǎn)：

由于制造工藝及元器件的特點(diǎn)，模擬集成電路在電路設(shè)計(jì)思想上與分立元器件電路相比有很大的不同厦冤。

1. 在所用元器件方面花脐，盡可能地多用晶體管，少用電阻临颈、電容茎倘；

2. 在電路形式上大量選用差動放大電路與各種恒流源電路钾趁，級間耦合采用直接耦合方式蚂青；

3. 盡可能地利用參數(shù)補(bǔ)償原理把對單個元器件的高精度要求轉(zhuǎn)化為對兩個器件有相同參數(shù)誤差的要求；盡量選擇特性只受電阻或其它參數(shù)比值影響的電路

“超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)專項(xiàng)的實(shí)施和順利進(jìn)展斑泳，為我國在2010年由*二大集成電路消費(fèi)國走向集成電路設(shè)計(jì)大國奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)孝承。”這是在zui近的一次會議上國家“十五”863超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)專項(xiàng)負(fù)責(zé)人說過的一句話。

對集成電路的作用末捣，行內(nèi)有四句話形容的非常好侠姑，說是：電子信息產(chǎn)品和國防電子裝備的核心，是信息產(chǎn)業(yè)核心競爭力zui重要的體現(xiàn)箩做，是信息技術(shù)與產(chǎn)業(yè)掌握發(fā)展主動權(quán)和實(shí)現(xiàn)跨越發(fā)展的基石莽红，是自主發(fā)展信息產(chǎn)業(yè)和現(xiàn)代服務(wù)業(yè)并提高其附加值所*的技術(shù)保證。

“掌握集成電路和軟件的關(guān)鍵技術(shù)并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化邦邦，對我國實(shí)現(xiàn)以信息化帶動工業(yè)化安吁，確保國家信息安全，具有至關(guān)重要的作用燃辖。”該負(fù)責(zé)人說鬼店。

“集成電路和軟件重大專項(xiàng)”是我國“十五”計(jì)劃期間的十二項(xiàng)重大科技專項(xiàng)之一网棍。*在863計(jì)劃集成電路方面，共設(shè)立了超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)妇智、100nm集成電路制造裝備和集成電路配套材料三個專項(xiàng)滥玷，而在超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)方面成果尤為顯著。

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