IMASI23摹恨，IMASI23

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全新*PLC可編程控制器

<>專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售各系列品牌控制器娶视、伺服驅(qū)動(dòng)晒哄、輸入/輸出模塊、電源模塊 (合作)

━━━━━━━━━━━━━全系列產(chǎn)品(A full range of products)

<>加工定制：否 工作電壓：220(V)

<>產(chǎn)品描述：現(xiàn)貨/訂貨 貨期短 產(chǎn)品圖片 產(chǎn)品價(jià)格 僅供參考

<>公司名稱(chēng)：廈門(mén)航拓電氣有限公司
<>Xia Men Hangtuo Electric Co., Ltd.
<>公司簡(jiǎn)稱(chēng)：航拓電氣
<>銷(xiāo)售地區(qū)：全國(guó)
<>公司經(jīng)營(yíng)品牌：Allen-Bradley
<>abb肪获、Siemens寝凌、Fanuc _-_-- plc可編程控制器
<>Schneider、Westinghouse孝赫、Ge _-__- dcs集散式控制系統(tǒng)

金屬—氧化層—半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOSFET在結(jié)構(gòu)上以一個(gè)金屬—氧化層—半導(dǎo)體的電容為核心（如前所述央颈，今日的MOSFET多半以多晶硅取代金屬作為其柵極材料），氧化層的材料多半是二氧化硅岗制，其下是作為基極的硅械耙，而其上則是作為柵極的多晶硅。這樣子的結(jié)構(gòu)正好等于一個(gè)電容器（capacitor）刷男，氧化層扮演電容器中介電質(zhì)（dielectric material）的角色袖蝙，而電容值由氧化層的厚度與二氧化硅的介電常數(shù)（dielectric constant）來(lái)決定。柵極多晶硅與基極的硅則成為MOS電容的兩個(gè)端點(diǎn)剪碱。

當(dāng)一個(gè)電壓施加在MOS電容的兩端時(shí)羊耸，半導(dǎo)體的電荷分布也會(huì)跟著改變∧碌荩考慮一個(gè)P型的半導(dǎo)體（空穴濃度為NA）形成的MOS電容葵伟，當(dāng)一個(gè)正的電壓VGB施加在柵極與基（如圖）時(shí)，空穴的濃度會(huì)減少词惭，電子的濃度會(huì)增加夕谬。當(dāng)VGB夠強(qiáng)時(shí)，接近柵的電子濃度會(huì)超過(guò)空穴莫辨。這個(gè)在P型半導(dǎo)體中傲茄，電子濃度（帶負(fù)電荷）超過(guò)空穴（帶正電荷）濃度的區(qū)域，便是所謂的反轉(zhuǎn)層（inversion layer）沮榜。

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