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半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
  • 品       牌其他品牌
  • 型       號HUSTEC-160
  • 所  在  地深圳市
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 更新時間2024/10/30 9:30:06
  • 訪問次數(shù)64
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食品機(jī)械設(shè)備網(wǎng)采購部電話:13777369734

聯(lián)系我們時請說明是 食品機(jī)械設(shè)備網(wǎng) 上看到的信息组莲,謝謝!

深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)皱坛,坐落于改革開放之都-中國深圳编曼,核心業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體功率器件智能檢測準(zhǔn)備研制生產(chǎn),公司產(chǎn)品主要涉及MOS管直流參數(shù)測試儀剩辟,MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀掐场,IGBT測試儀,IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)贩猎,IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀熊户,功率循環(huán),雪崩及浪涌測試設(shè)備吭服,產(chǎn)品以高度集成化嚷堡、智能化、高速艇棕、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢蝌戒,將廣泛應(yīng)用于IDM廠商、器件設(shè)計(jì)沼琉、制造北苟、封裝廠商及高校研究所等桩匪,客戶行業(yè)涉及軌道交通,地鐵捅青,電驅(qū)動蹲瘩,新能源汽車,風(fēng)力發(fā)電豺孤,變頻器架揉,家電等領(lǐng)域;華夏神州凌秩,科技興國浦砸,智能創(chuàng)新,源遠(yuǎn)流長段许;華科智源公司核心團(tuán)隊(duì)由華中科技大學(xué)毯旷,復(fù)旦大學(xué)等國內(nèi)高校研究所、行業(yè)應(yīng)用專家等技術(shù)人才組建驹毁,致力于中國功率半導(dǎo)體事業(yè)选癣,積極響應(yīng)國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略,投身于半導(dǎo)體測試設(shè)備國產(chǎn)化廊席。

igbt靜態(tài)參數(shù)測試儀杰刽,10us浪涌電流測試儀,分立器件測試儀王滤,柵極電阻/電容測試儀
設(shè)備尺寸 500(寬)x?450(深)x?250(高)mm 質(zhì)量 30kg
海拔高度 海拔不超過?1000m 儲存環(huán)境 -20℃~50℃
工作環(huán)境 15℃~40℃ 相對濕度 20%RH?~?85%RH
大氣壓力 86Kpa~?106Kpa 防護(hù) 無較大灰塵贺嫂,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害
用電要求 AC220V雁乡,±10% 電網(wǎng)頻率 50Hz±1Hz
半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試第喳,測試二極管 叙身、IGBT栅贴,MOS管债竖,SIC器件靜態(tài)參數(shù)把鹊,并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線侧缔,測試1600A匙典,5000V以下的各種功率器件畦贸,廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)告希,封裝測試桥温,軌道交通引矩,電動汽車 ,風(fēng)力發(fā)電侵浸,變頻器旺韭,焊機(jī)等行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析。
半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試 產(chǎn)品信息

HUSTEC華科智源

HUSTEC-1600A-MT

半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試

 

 

 

一:半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試主要特點(diǎn)

華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試,還可以測量大功率二極管 宙锡、IGBT模塊阁雷,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試狐昆,測試600A(可擴(kuò)展至2000A)柒杯,5000V以下的各種功率器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通八领,電動汽車 疑拯,風(fēng)力發(fā)電,變頻器鼠灼,焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析矿矿,設(shè)備還可以用于變頻器,風(fēng)電眯词,軌道交通棋躬,電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修,無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測試延届,可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測剪勿,測試方便,測試過程簡單方庭,既可以在測試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測試厕吉,又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動測試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試二鳄;

 

測試參數(shù):

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

整個測試過程自動完成赴涵,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能媒怯,可生成測試曲線订讼,方便操作使用。

 

二:應(yīng)用范圍

A:IGBT單管及模塊扇苞,

B:大功率場效應(yīng)管(Mosfet)

C:大功率二極管

D:標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻

E:軌道交通欺殿,風(fēng)力發(fā)電,新能源汽車鳖敷,變頻器脖苏,焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線故障檢測

 

三、測試特征:

A:測量多種IGBT定踱、MOS管

B:脈沖電流1200A盼掘,電壓5KV,測試范圍廣耸颁;

C:脈沖寬度 50uS~300uS

D:Vce測量精度2mV

E:Vce測量范圍>10V    

F:電腦圖形顯示界面

G:智能保護(hù)被測量器件

H:上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫功能

I:MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降

J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)

K: 生成測試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性彰巫,可以做失效分析以及故障定位)

L:可以進(jìn)行不同曲線的對比,觀測同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)舞绝,或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對比童丢;

 


序號

測試項(xiàng)目

描述

測量范圍

分辨率

精度

1

VF

二極管正向?qū)▔航?/p>

0~20V

1mV

±1%,±1mV

2

IF

二極管正向?qū)娏?/p>

0~1200A

≤200A時,0.1A

≤200A時,±1%±0.1A

3

>200A時,1A

>200A時,±1%

4

Vces

集電極-發(fā)射極電壓

0~5000V

1V

±1%,±1V

5

Ic

通態(tài)集電極電流

0~1200A

≤200A時,0.1A

≤200A時,±1%±0.1A

6

>200A時,1A

>200A時,±1%

7

Ices

集電極-發(fā)射極漏電流

0~50mA

1nA

±1%,±10μA

8

Vgeth

柵極-發(fā)射極閾值電壓

0~20V

1mV

±1%,±1mV

9

Vcesat

集電極-發(fā)射極飽和電壓

0~20V

1mV

±1%,±1mV

10

Igesf

正向柵極漏電流

0~10uA

1nA

±2%,±1nA

11

Igesr

反向柵極漏電流

12

Vges

柵極發(fā)射極電壓

0~40V

1mV

±1%,±1mV


 

 


















 




 




 




 



 

測試參數(shù):

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀整個測試過程自動完成糠味,電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能,可生成測試曲線择车,方便操作使用

 

1) 物理規(guī)格

設(shè)備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm渊伐;

質(zhì)量:30kg

2) 環(huán)境要求

海拔高度:海拔不超過 1000m;

儲存環(huán)境:-20℃~50℃阀严;

工作環(huán)境:15℃~40℃多析。

相對濕度:20%RH ~ 85%RH ;

大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa砚凳。

防護(hù):無較大灰塵执执,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害晌姚;

3) 水電氣 用電要求:AC220V粤剧,±10%;

電網(wǎng)頻率:50Hz±1Hz

關(guān)鍵詞:變頻器
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