怎樣保證威海凈化工程潔凈室的濕溫度調(diào)控
威毫龃化工程針對潔凈室的要求越來越高俯够,針對潔凈室的濕溫度調(diào)控,需專業(yè)技術(shù)人員的指導。
威海凈化工程峰适,威海潔凈室裝修抗钻,威海潔凈室工程-潔凈空間的溫濕度主要是根據(jù)工藝要求來確定,但在滿足工藝要求的條件下靶姻,應考慮到人的舒適度感褒述。隨著空氣潔凈度要求的提高,出現(xiàn)了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢怀拨。
具體工藝對溫度的要求以后還要列舉逃窜,但作為總的原則看,由于加工精度越來越精細妒槐,所以對溫度波動范圍的要求越來越小止骨。例如在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中,作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來越小吮铭。直徑100 um的硅片时迫,溫度上升1度,就引起了0.24um線性膨脹谓晌,所以必須有±0.1度的恒溫掠拳,同時要求濕度值一般較低,因為人出汗以后扎谎,對產(chǎn)品將有污染碳想,特別是怕鈉的半導體車間烧董,這種車間不宜超過25度毁靶。
威海凈化工程,威海潔凈室裝修逊移,威海潔凈室工程-濕度過高產(chǎn)生的問題更多预吆。相對濕度超過55%時,冷卻水管壁上會結(jié)露胳泉,如果發(fā)生在精密裝置或電路中拐叉,就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹扇商。此外厨棒,濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學吸附在表面耐難以清除。相對濕度越高,粘附的難去掉桑趴,但當相對濕度低于30%時盟拨,又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面,同時大量半導體器件容易發(fā)生擊穿盔连。對于硅片生產(chǎn)*溫度范圍為35—45%琢账。
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